| Numéro |
Radioprotection
Volume 29, Numéro 4, October-December 1994
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|---|---|---|
| Page(s) | 557 - 572 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/radiopro/1994006 | |
| Publié en ligne | 12 mai 2009 | |
Thick oxide MOS transistors for ionizing radiation dose measurement
1
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes, LAAS/CNRS, 7 avenue du Colonel Roche, F-31077 Toulouse Cedex
Reçu :
15
Avril
1994
Les principales propriétés des dosimètres de rayonnement métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) sont décrites. Nous présentons les résultats obtenus pour la sensibilité et la stabilité des dosimètres à oxyde de grille épais qui montrent que ce composant a des applications en dosimétrie des personnels et en médecine. Nous discuterons brièvement les améliorations possibles de la sensibilité.
Abstract
The main properties of metal-oxide-silicon radiation dosemeters are described and the results obtained in terms of sensitivity and stability with thick oxide layers are given. Possible methods for improving their sensitivity are briefly discussed.
© EDP Sciences, 1994
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