Dosimétrie passive des neutrons rapides au moyen des diodes de silicium

Fast neutrons passive dosimetry with Si - diodes.

¹ IPSN, Institut de protection et de sûrete nucléaire, departement de protection de la santé de l'homme et de dosimetrie, service de dosimetrie, BP nº 6, 92265 - Fontenay-aux-Roses Cedex, France.
² Present Address: Académie des sciences de la République Tchèque, département de dosimétrie, institut de physique nucléaire, Na Truhlarce 39/64, 18086 Praha 8, République Tchèque.
³ IPSN, Institut de protection et de sûrete nucléaire, departement de protection de la santé de l'homme et de dosimetrie, service de dosimetrie, BP nº6, 92265 - Fontenay-aux-Roses Cedex, France.

Reçu : 9 Janvier 1999
Accepté : 22 Septembre 1999 Révisé : 16 Juillet 1999

Résumé

Les diodes de silicium sont utilisées depuis plusieurs années pour la dosimétrie des neutrons rapides dans le cas d'irradiation à de fortes doses, y compris les irradiations accidentelles. Cet article décrit les résultats des tests effectués sur des diodes d`une nouvelle fabrication dont il présente également une analyse de leurs caractéristiques et des possibilités d'utilisation. Des diodes de deux sensibilités différentes ont été irradiées auprès du réacteur SILENE (IPSN Valduc) ce qui a permis d'étudier : la reproductibilté des lectures ainsi que l'influence de leur répétition, l'homogénéité des lots de diodes étudiées, l'évolution du signal en fonction du temps après l'irradiation, l'influence du traitement thermique après irradiation sur cette évolution, la réponse de deux types de diodes testés aux neutrons du réacteur SILENE dans deux configurations différentes, le seuil de détection exprimé en kerma dû aux neutrons dans le tissu. Les résultats obtenus sont presentés, analysés et discutés. Enfin, les principales connaissances acquises sont résumées dans la conclusion.

Abstract

Fast neutrons passive dosimetry with Si - diodes. Since several years, Si-diodes have been used for the fast neutron dosimetry in the case of high level exposure, accidental enclosed. This work describes the results of tests performed with the diodes of a new production, presents their characteristics and the analysis of the possibilities of their use. The diodes of two different sensitivities were irradiated at the SILENE reactor (IPSN Valduc). We studied: the reproducibility of reading and the influence of its repetition, the homogeneity of the lot of diodes studied, the evolution of the signal with the time after irradiation, the influence of the thermal treatment on this evolution, the response of two types of diodes to the neutrons of SILENE reactor in two configurations, the detection threshold expressed in tissue kerma. The results obtained are presented, analysed and discussed. The principal knowledge is formulated in the conclusion.